化合物半导体检测(THz s-SNOM)
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THz s-SNOM：表面形貌+太赫兹介电特性近场光谱成像
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检测原理
太赫兹散射式近场光学显微镜（THz s-SNOM）原理
THz s-SNOM是集成原子力显微镜（AFM）与太赫兹时域光谱（THz-TDS）技术的超高分辨率光学显微镜，该系统面向半导体检测分析、生物纳米成像领域，可进行太赫兹近场成像、成谱研究。可实现 1D（趋近曲线）、2D（AFM/s-SNOM 图像）、3D成像。
入射THz波经准直后聚焦到探针针尖上，针尖与样品的近场相互作用使反射的THz波携带了样品的介电参数信息，反射的THz波经锁相放大器采集高次谐波后，即可得到被测样品表面形貌的幅度与相位信息。
样品的表面三维形貌信息由AFM获取，太赫兹回波携带探针位置样品的介电参数信息，可实现幅度与相位检测。
方案配置
TA-THz-SNOM(lite)太赫兹时域光谱近场微纳扫描成像系统（微区版）
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测量模式
远场THz-TDS模式（移除SNOM，做THz-TDS单独使用）
近场THz-SNOM模式
标准配套
控制主机、AFM扫描台、THz发射与接收模块、高清显示屏
标准配件
专用探针、样品载台、无尘样品盒、镊子
核心参数
■ 近场太赫兹空间分辨率：＜40nm
■ 频谱范围：THz-SNOM：0.5-2THz；THz-TDS：0.1-5.0THz
■ 扫描速度：1-10Hz（@50ps）
■ 信噪比 THz-TDS：≥80dB
■ 单次扫描范围：XYZ：100µm×100µm×5µm
■ 整体扫描面积：可对单次扫描图像实现电动拼接，整体扫描面积＞1mm×1mm
■ zui大样品尺寸：20×20mm，可定制
■ 扫描分辨率：X,Y≤0.2 nm，Z≤0.05nm
■ 对焦用场光学显微镜：500万像素CCD相机；空间分辨率优于2µm
■ AI边缘计算模块：提供预处理算法、经典图谱分析算法、深度学习图像分析算法等
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适用对象
检测对象
■ 半导体薄膜/衬底：外延层、掺杂区、离子注入区、多层膜界面宽
■ 禁带半导体：SiC、GaN 衬底的内部杂质与缺陷区
■ 介电/金属薄膜：高 K 栅介质、钝化膜、埋层介质
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先jin制程研发实验室
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半导体材料企业
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芯片封装测试厂
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微电子科研院所
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检测评估项目
■芯片材料掺杂均匀度、载流子浓度空间分布测绘
■ 介电常数空间分布测绘（纳米分辨率）
■ SiC/GaN 宽禁带半导体内部杂质与缺陷表征（位错、微管、掺杂不均匀区）
■ 非破坏性深度剖面分析，无需解理 / 切片
检测流程
标准化建设能力
核心战略：标准引领·价值高地
我们不仅是技术的践行者，更是行业标准的制定者。通过“主导国标+发布团标+推进ISO”的三级标准战略，构建技术护城河，实现从“卖产品”到“卖标准”的跨越。
标准建设成果
标准层级
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标准名称/内容
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标准状态
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国家标准
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《太赫兹时域光谱仪》，标准计划号：20255723-T-604
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已立项
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《太赫兹散射式扫描近场光学显微镜》，标准计划号：20255721-T-604
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已立项
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《光学传递函数 第1部分：术语、符号》，标准计划号：20252505-T-604
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已报批
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《光学传递函数 第2部分：测量导则》，标准计划号：20252504-T-604
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已报批
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团体标准
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《市政井盖信物融合监测系统技术规范》，T/SHFIA 000022-2021
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已发布实施
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《太赫兹光谱数据库及数据采集处理规范》，T/QGCML 4289-2024
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已发布实施
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《智能煤质快检系统》，T/CMEEEA 044-2025
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已发布实施
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实验室CNAS检测+校准能力
符合ISO/IEC 17025:2017 以及 CNAS 特定认可要求
能力类别
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检测对象
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可测/校准参数
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测量范围
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扩展不确定度(k=2)
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检测标准/校准规范
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检测能力
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太赫兹材料
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太赫兹特征波长
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/
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/
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Q/AGJ0840-2017 4.5.1
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太赫兹材料
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光谱透过率
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/
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/
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Q/AGJ0840-2017 4.5.2
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太赫兹材料
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折射率
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/
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/
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Q/AGJ0840-2017 4.5.3
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太赫兹材料
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吸收系数
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/
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/
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Q/AGJ0840-2017 4.5.4
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太赫兹材料
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光谱漫反射比
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/
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/
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Q/AGJ0840-2017 4.5.5
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校准和测量能力
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太赫兹光谱仪
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频率(波长)修正因子
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0.1~2.5 THz
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U_rel=1.2%
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JJF1603《太赫兹光谱仪校准规范》
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太赫兹光谱仪
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光谱透射比
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0.1~2.5 THz
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U_rel=12%
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JJG(军工)284《材料分析用太赫兹光谱仪检定规程》
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太赫兹光谱仪
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光谱反射比
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0.1~2.5 THz
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U_rel=15%
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JJG(军工)284《材料分析用太赫兹光谱仪检定规程》
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太赫兹光谱仪
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动态范围
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≥30dB
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U_rel=5%
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JJG(军工)284《材料分析用太赫兹光谱仪检定规程》
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太赫兹波长测量仪
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波长
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400~4000 cm⁻¹
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U_rel=2%
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JJF(军工)183《太赫兹波长测量仪校准规范》
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太赫兹源
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辐射功率
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10μW~200μW
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U_rel=21%
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JJF(军工)118《太赫兹源辐射参数校准规范》
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太赫兹源
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辐射功率
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200μW~70mW
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U_rel=13%
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JJF(军工)118《太赫兹源辐射参数校准规范》
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辐射型太赫兹功率计
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功率
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10μW~200μW
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U_rel=21%
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JJF1600《辐射型太赫兹功率计校准规范》
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辐射型太赫兹功率计
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功率
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200μW~70mW
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U_rel=13%
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JJF1600《辐射型太赫兹功率计校准规范》
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太赫兹光电探测器
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功率
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10μW~200μW
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U_rel=21%
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JJF(军工)145《太赫兹光电探测器校准规范》
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太赫兹光电探测器
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功率
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200μW~70mW
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U_rel=13%
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JJF(军工)145《太赫兹光电探测器校准规范》
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